半導体レーザ装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 唐木田 昇市 |
| 发表日期 | 1993-02-26 |
| 专利号 | JP1993048196A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 リッジ形状(上クラッド層残り厚d,リッヂ底幅w)を再現性良く、正確に制御できるリッジ型半導体レーザ装置の製造方法を得る。 【構成】 基板1上に下クラッド層2,活性層3,厚さdの第1上クラッド層4a,ダメージ緩和層8を順次形成し、次いで、リッジ幅wのシリコン窒化膜12を形成する。次いで、シリコン窒化膜12の両側にブロック層5を成長させ、その後、シリコン窒化膜12を除去し、ダメージ緩和層8をリッジ幅wにエッチングし、次いで、第2上クラッド層,コンタクト層,p電極,n電極を形成して、上クラッド層残り厚d,リッジ底幅wを正確に制御することを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1993-02-26 |
| 申请日期 | 1991-08-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88872]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 唐木田 昇市. 半導体レーザ装置の製造方法. JP1993048196A. 1993-02-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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