半導体層の成長方法、半導体装置の製造方法、半導体発光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 加藤 豪作; 伊藤 哲 |
| 发表日期 | 2000-07-28 |
| 专利号 | JP2000208876A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体層の成長方法、半導体装置の製造方法、半導体発光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体発光素子の動作電圧などの諸特性の製造時のばらつきを抑えることができ、低動作電圧かつ長寿命の半導体発光素子を高い製造歩留まりで製造することができる半導体発光素子の製造方法および動作電圧の低減および寿命特性の向上を図ることができると共に、特性の再現性が良好であり、しかも、容易に製造することができる半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 ZnCdSe層を活性層、ZnSSeを光導波層、ZnMgSSeをクラッド層とするSCH構造の半導体レーザにおいて、p型コンタクト層のp型ZnSe/ZnTeMQW層12を構成する全てのp型ZnTe量子井戸層12aをほぼ同一の厚さとすると共に、全てのp型ZnSe障壁層12bをほぼ同一の厚さとする。p型ZnSe/ZnTeMQW層12は、p型ZnSe/ZnTeMQW層12を構成する全てのp型ZnTe量子井戸層12aおよび全てのp型ZnSe障壁層12bは、基板の回転周期の整数倍とほぼ等しい成長時間で所望の厚さに成長することにより形成する。 |
| 公开日期 | 2000-07-28 |
| 申请日期 | 1999-01-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88876]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加藤 豪作,伊藤 哲. 半導体層の成長方法、半導体装置の製造方法、半導体発光素子およびその製造方法. JP2000208876A. 2000-07-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。