光デバイス及びその製造方法並びに半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 杉本 博司; 後藤田 光伸; 井須 俊郎; 阿部 雄次; 大塚 健一; 大石 敏之 |
| 发表日期 | 1995-07-14 |
| 专利号 | JP1995176832A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光デバイス及びその製造方法並びに半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 へき開を用いずウエハープロセスにより形成した良好な共振器ミラーを備えた半導体レーザを提供することを目的とする。 【構成】 半導体レーザ装置は、エッチングにより形成された側面1aとその側面1a上に成長した平坦な結晶面を持つ平坦化層4によって構成される共振器ミラーを備えている。平坦化層4は成長面の結晶方位に違いによる、成長速度の差を利用し、へき開面と同様な平坦性と垂直性を持つ結晶面を有している。エッチングにより形成された側面1aが構造13を持つことにより、平坦化層4の表面4aの結晶面上に生じるステップが導波路3の光出射位置と重ならない。 【効果】 エッチングを用いて半導体レーザ装置を形成でき、集積化、ウエハー一貫プロセスによる生産性向上が実現できる。 |
| 公开日期 | 1995-07-14 |
| 申请日期 | 1993-12-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88889]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杉本 博司,後藤田 光伸,井須 俊郎,等. 光デバイス及びその製造方法並びに半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1995176832A. 1995-07-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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