化合物半導体発光素子とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 石川 秀人 |
| 发表日期 | 1996-12-24 |
| 专利号 | JP1996340145A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体発光素子とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 温度特性およびしきい値電流Jthの改善をはかった化合物半導体レーザー等の半導体発光素子とその製造方法を提供する。 【構成】 少なくとも第1導電型の化合物半導体基板1と、第1導電型のクラッド層3と、活性層4と、第2導電型のクラッド層5とを有する化合物半導体発光素子において、少なくとも一方のクラッド層中の活性層4の近傍に、高キャリア濃度薄層5Hが形成されてこのクラッド層の擬フェルミレベルを変化させ、活性層との間のヘテロ接合における障壁を高めた構成とする。 |
| 公开日期 | 1996-12-24 |
| 申请日期 | 1995-06-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88894]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石川 秀人. 化合物半導体発光素子とその製造方法. JP1996340145A. 1996-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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