半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 棚橋 俊之; 近藤 真人 |
| 发表日期 | 1993-07-23 |
| 专利号 | JP1993183228A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 可視光半導体発光装置に関し、電流供給経路の半導体層間に生じるヘテロ障壁を低くしてこの部分の電気抵抗を低減し、動作電流による発熱を防ぐことによって低しきい値特性と高出力特性を得る。
【構成】 発光領域への電流供給経路であるp-GaAsキャップ層11とp-(AlZ Ga1-z )0.5 In0.5 Pクラッド層(0r Ga1-r )0.5 In0.5 P層(0≦rr Ga1-r )0.5 In0.5 P層9の間にp-In1-u Gau As1-v Pv 層(01-u Gau As1-v Pv 層(0 |
| 公开日期 | 1993-07-23 |
| 申请日期 | 1991-12-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88896]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 棚橋 俊之,近藤 真人. 半導体発光装置. JP1993183228A. 1993-07-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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