半導体装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松本 啓資; 門脇 朋子 |
| 发表日期 | 1995-08-22 |
| 专利号 | JP1995226565A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 異なる極性の2電極が上面に配置されるTTG構造において、漏れ電流を低減し発光効率を高める。 【構成】 リッジ導波路M1の活性層36の上側に第1の導電型の第1の半導体層34aを、活性層36の下側に第2の導電型の第2の半導体層37を、第2の半導体層37の側方に第2の導電型の第3の半導体層37aを形成する。第1の半導体層34a上に第1の電極40を、第3の半導体層37a上に第2の電極41を形成する。第1の半導体層34aと第3の半導体層37aとの間の一部に逆ヘテロ接合構造の電流狭窄部33を設け、さらにその側方に寄生容量防止溝45を形成する。 【効果】 電流狭窄部33および寄生容量防止溝45でリークパスの発生を防ぐ。 |
| 公开日期 | 1995-08-22 |
| 申请日期 | 1994-02-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88912]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松本 啓資,門脇 朋子. 半導体装置およびその製造方法. JP1995226565A. 1995-08-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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