半導体光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 工藤 耕治 |
| 发表日期 | 1997-02-14 |
| 专利号 | JP1997046002A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】マスク幅の異なる領域で結晶歪量をほとんど変化させることなく結晶層厚を大きく変化させることのできる選択成長法の提供。 【解決手段】選択成長において、反応管内の気相中の原料種の拡散長よりも短い周期Λでアレイ状に多数本形成されたストライプ状誘電体薄膜の成長阻止マスクを導入し、誘電体マスクに挟まれた光導波路領域に成長される結晶がマスク幅の変化に対して結晶歪量をほとんど変化させることなく、結晶層厚を大きく変化することができる選択成長が実現できる。 |
| 公开日期 | 1997-02-14 |
| 申请日期 | 1995-07-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88923]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 工藤 耕治. 半導体光素子およびその製造方法. JP1997046002A. 1997-02-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。