半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 兼岩 進治; 宮▲嵜▼ 啓介 |
| 发表日期 | 1995-07-04 |
| 专利号 | JP1995170013A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 気相中のマストランスポート及び液相中のメルトバックを抑制して、電流狭窄層に設けた開口部のエッジ形状を良好に保存し、ストライプ形状のばらつきや変形を防止し、均一な特性のレーザ素子を歩留よく製造する。 【構成】 半導体基板10上に積層されレーザ発振用の活性領域13を含む半導体多層膜と、半導体多層膜上に積層され半導体多層膜まで達するストライプ状の開口部を持つ電流狭窄層17および成長抑止層18と、前記開口部において前記半導体多層膜に接し、前記成長抑止層18上で途切れたクラッド層20とを備える半導体レーザ素子。 |
| 公开日期 | 1995-07-04 |
| 申请日期 | 1993-12-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88924]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 兼岩 進治,宮▲嵜▼ 啓介. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP1995170013A. 1995-07-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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