半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 西村 隆司 |
| 发表日期 | 1996-02-20 |
| 专利号 | JP1996051250A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 再結晶成長界面におけるレーザ劣化を抑制し、高信頼性の半導体レーザを提供する。 【構成】 半導体基板上1にp型のクラッド層3と、n型のクラッド層5と、これらの間に挟まれたレーザ発振用の活性層4と、この活性層4の両側に設けられた電流ブロック層6と、この電流ブロック層6の上面に接する上クラッド層8とが設けられ、上記p型のクラッド層3およびn型のクラッド層5と上記電流ブロック層6との界面13、14並びに上記上クラッド層8と上記電流ブロック層6との界面11、12が再結晶成長界面で接合され、上記再結晶成長界面のp-n接合面にFe,CrまたはCoがドープされたドープ層を有する構成である。 |
| 公开日期 | 1996-02-20 |
| 申请日期 | 1994-08-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88929]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西村 隆司. 半導体レーザ. JP1996051250A. 1996-02-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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