半導体レーザ装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 伊地知 哲朗 |
| 发表日期 | 1999-01-12 |
| 专利号 | JP1999008438A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 製造プロセスの初期段階でデバイス特性の分布を簡単に、高精度に予測して不良品を排除し、製造歩留りを高め得る半導体レーザ装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板上に一対のクラッド層に挟まれた活性層を順次エピタキシャル成長させた後、該エピタキシャル層にリッジを形成した段階で、活性層を光励起して該活性層におけるフォトルミネッセンスを測定し、この測定結果に基づいて良好な素子形成領域を選別する。そして選別された素子形成領域に対して電極形成を含むその後の製造処理を進めて半導体レーザ装置を製造する。特にリッジ形成後の活性層におけるフォトルミネッセンスの強度やスペクトルをエピタキシャル層の複数点、或いはその全面を走査して測定する。 |
| 公开日期 | 1999-01-12 |
| 申请日期 | 1997-06-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88932]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊地知 哲朗. 半導体レーザ装置の製造方法. JP1999008438A. 1999-01-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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