半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 奥田 肇 |
| 发表日期 | 1993-03-12 |
| 专利号 | JP1993063295A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 光学損傷が起きるレベルを大幅に高めることにより、安定した高出力発振を可能にし、均一な特性の半導体レーザ装置を歩留り良く提供する点。 【構成】 活性層の最大利得波長よりも長い波長で発振するように予め回析格子の周期を設定してから、p型光導波路層に回析格子を重ねて形成後、クラッド層を形成する。この結果、発振レーザ光は、活性層中で透明になり、反射面での光学損傷を起さずに高出力発振ができる。更に、特定の波長だけが発振するので、単一モードレーザが実現できる。 |
| 公开日期 | 1993-03-12 |
| 申请日期 | 1991-09-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88934]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥田 肇. 半導体レーザ装置. JP1993063295A. 1993-03-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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