半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 岩井 則広; 舟橋 政樹; 向原 智一; 粕川 秋彦 |
| 发表日期 | 2001-04-20 |
| 专利号 | JP2001111169A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 共振器長が短く、ウエハ1枚当たりの半導体レーザ素子の取得数が多くなる構成を備えた半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 本DFB半導体レーザ素子20は、発振波長が55μmであって、n-InP基板21上に、順次、エピタキシャル成長させた、n-InPクラッド層22、活性層23、p-InPクラッド層24、及び、p-AlInAs層を酸化してなるAl酸化層25Aで形成されたグレイティング(回折格子)25A’を有し、更にp-InP保護層26’、グレイティングを埋め込んだp-InP層26、及びp-GaInAsコンタクト層27からなる積層構造を有する。グレイティングは、240nm(λ=55μm)のピッチである。活性層上の半導体層は、ストライプ状リッジに加工されている。リッジ上部のコンタクト層を露出させた窓31を除く領域には、SiNX 膜28が形成され、窓上を含むSiNX 膜上にp側電極29が、基板の裏面には、n側電極30が形成されている。 |
| 公开日期 | 2001-04-20 |
| 申请日期 | 1999-10-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88936]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩井 則広,舟橋 政樹,向原 智一,等. 半導体レーザ素子. JP2001111169A. 2001-04-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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