分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松井 康浩; 荒平 慎; 沓澤 聡子; 小川 洋 |
| 发表日期 | 1996-12-24 |
| 专利号 | JP1996340153A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 突き合わせ接合作製のためのエッチング、再成長のプロセスの制御を容易にし、格子欠陥のない結合効率の高い接合を再現性よく作製することができる分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法を提供する。 【構成】 突き合わせ接合を有する分布帰還型半導体レーザにおいて、活性層となる量子井戸構造22の上側に成長されるP型クラッド層24の構成材料としてInAlAs又はInGaAlAsを用いる。また、位相整合領域BとなるInGaAsP層23の上側に成長されるP型クラッド層25の構成材料としてInAlAs又はInGaAlAsを用いる。 |
| 公开日期 | 1996-12-24 |
| 申请日期 | 1995-06-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88940]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松井 康浩,荒平 慎,沓澤 聡子,等. 分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法. JP1996340153A. 1996-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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