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光アセンブリ

文献类型:专利

作者辻 伸二; 高橋 龍太; 宍倉 正人; 菊池 悟; 青木 聰
发表日期2001-01-12
专利号JP3147141B2
著作权人株式会社日立製作所
国家日本
文献子类授权发明
其他题名光アセンブリ
英文摘要(修正有) 【課題】発熱の大きな半導体素子と、高インピーダンスの光素子を同一の光導波路基板上に光学的に低損失になるように搭載した光アセンブリ構造を提供する。 【解決手段】半導体基板10の凸部11上に直接、あるいはサブミクロン程度の厚さの絶縁体層を介して発熱の大きな素子2を接着させる。一方、高インピーダンスの光素子3は、それと結合される光導波路層と光軸が一致するように半導体基板の凹部上に形成した溝中に搭載する。あるいは、半導体基板10の電位を電源電圧、または接地電位として、順方向にバイアスされる発熱素子2と、浮遊容量が問題になる逆バイアス素子3の基板結晶の極性を反転させる。 【効果】発熱の大きな素子と、高インピーダンスの光素子を、光導波路の光軸と一致させつつ、同一の光導波路基板上に搭載可能となる。その結果、光導波路上に種々の光素子、電気素子を組み込んだハイブリッド光回路が低コストで実装できる。
公开日期2001-03-19
申请日期1995-08-30
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88947]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社日立製作所
推荐引用方式
GB/T 7714
辻 伸二,高橋 龍太,宍倉 正人,等. 光アセンブリ. JP3147141B2. 2001-01-12.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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