半導体レーザ素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 永井 豊; 三橋 豊; 宮下 宗治; 梶川 靖友 |
| 发表日期 | 2000-02-25 |
| 专利号 | JP2000058971A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 GaAs基板上に形成され、発振波長が3μm又は55μmとなる半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 BTlGaAs層を活性層に用いることにより、GaAs基板と格子整合し、かつ発振波長が3μm又は55μmである半導体レーザ素子が得られる。特に、BTlGaAs活性層の形成には、シクロペンタジエニルタリウムをTl元素供給源に用いた有機金属気相成長法を用いる。 |
| 公开日期 | 2000-02-25 |
| 申请日期 | 1998-08-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88948]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 永井 豊,三橋 豊,宮下 宗治,等. 半導体レーザ素子及びその製造方法. JP2000058971A. 2000-02-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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