面発光半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大坪 孝二 |
| 发表日期 | 1995-10-13 |
| 专利号 | JP1995263793A |
| 著作权人 | GIJUTSU KENKYU KUMIAI SHINJIYOUHOU SHIYORI KAIHATSU KIKO |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】制御性がよく容易な面発光半導体レーザを製造し、特性や生産性を向上する。 【構成】第1の半導体多層ミラー(1) 上に形成された、一導電型の第1クラッド層(6) と活性層(7) と反対導電型の第2のクラッド層(10)と第2の半導体多層ミラー(11)とを有し、前記一導電型の第1のクラッド層(6) に一導電側の電極が、前記反対導電型の第2のクラッド層(8) に反対導電側の電極が直接コンタクトした面発光半導体レーザ。 |
| 公开日期 | 1995-10-13 |
| 申请日期 | 1994-03-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88955]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | GIJUTSU KENKYU KUMIAI SHINJIYOUHOU SHIYORI KAIHATSU KIKO |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大坪 孝二. 面発光半導体レーザおよびその製造方法. JP1995263793A. 1995-10-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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