シングルヘテロ接合を有する半導体材料
文献类型：专利
| 作者 | 只友 一行; 遠山 修; 渡部 信一 |
| 发表日期 | 1993-01-29 |
| 专利号 | JP1993021843A |
| 著作权人 | 三菱電線工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | シングルヘテロ接合を有する半導体材料 |
| 英文摘要 | 【目的】 発光効率が高く、電流拡散の良好な高輝度LED,LDなどの半導体素子のための材料を提供する。 【構成】 n形GaAsP基板3′上にn形TeドープGaAsP活性層4およびp形ZnドープGaInPクラッド層5を形成する。 【効果】 活性層4の表面が平坦となり、低転位密度となる。クラッド層5と電極との間のオーミック性が向上する。液相成長により厚膜のクラッド層を成長させることができるから、電極からpn接合迄の厚さを電流拡散層として充分確保することができる。Znドーパントは拡散係数が大きいため、GaAsP基板3′表面よりも結晶性が良好な基板内部側にpn接合が形成され、電気的特性の向上や高輝度が期待できる。 |
| 公开日期 | 1993-01-29 |
| 申请日期 | 1991-07-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88957]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電線工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 只友 一行,遠山 修,渡部 信一. シングルヘテロ接合を有する半導体材料. JP1993021843A. 1993-01-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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