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半導体光機能素子及び半導体光機能装置

文献类型:专利

作者山田 光志
发表日期1999-07-02
专利号JP1999174254A
著作权人沖電気工業株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体光機能素子及び半導体光機能装置
英文摘要【課題】 製造容易かつ集積化に適した半導体光機能素子と半導体光機能素子アレイを提供する。 【解決手段】 光導波路116の第1導波路端面112と第2導波路端面114とは,素子端面108に形成されている。したがって,第1導波路端面112から入力された入力光P1は,光導波路116において,第1導波領域116aを介して変調領域116cに伝搬し,変調領域116cにおいて第2導電型電極124から印加される電圧にの作用で変調され変調光P2となり,さらに,第2導波領域116bを介して,第2導波路端面14から出力される。
公开日期1999-07-02
申请日期1997-12-09
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88967]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位沖電気工業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
山田 光志. 半導体光機能素子及び半導体光機能装置. JP1999174254A. 1999-07-02.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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