半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 柿本 昇一; 門脇 朋子; 青柳 利隆; 高木 和久 |
| 发表日期 | 1997-05-23 |
| 专利号 | JP2653562B2 |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | PURPOSE:To acquire a semiconductor laser of a small threshold current. CONSTITUTION:An N-type clad layer 2, a P-type clad layer 4 and an active layer 3 between the clad layers are provided on a substrate At least one of the clad layers is formed by doping impurities 20 or 40 forming the clad layer with impurities 40 or 20 of opposite conductivity which are ionic-bonded with the impurities. Since the N-type impurities 20 and the P-type impurities 40 pull mutually, they are hard to move alone. Therefore, at a high temperature of crystal growth, diffusion into the active layer can be restrained and a semiconductor laser of a small threshold current can be acquired. |
| 公开日期 | 1997-09-17 |
| 申请日期 | 1991-02-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88971]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柿本 昇一,門脇 朋子,青柳 利隆,等. 半導体レーザおよびその製造方法. JP2653562B2. 1997-05-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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