Nitride based semiconductor laser diode
文献类型：专利
| 作者 | RYU, HAN-YOUL |
| 发表日期 | 2007-08-09 |
| 专利号 | US20070183469A1 |
| 著作权人 | SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Nitride based semiconductor laser diode |
| 英文摘要 | A nitride based semiconductor laser diode is provided. The nitride based semiconductor laser diode includes: a lower contact layer, a lower clad layer, an active layer, and an upper clad layer sequentially stacked on a substrate, wherein the refractive index of the lower clad layer is equal to or greater than the refractive index of the lower contact layer. |
| 公开日期 | 2007-08-09 |
| 申请日期 | 2006-08-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88975]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | RYU, HAN-YOUL. Nitride based semiconductor laser diode. US20070183469A1. 2007-08-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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