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半導体レーザ素子およびその発振波長のスイッチング方法

文献类型:专利

作者国井 達夫; 加藤 幸雄; 山田 光志
发表日期1997-03-11
专利号JP1997069669A
著作权人沖電気工業株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ素子およびその発振波長のスイッチング方法
英文摘要【課題】 発振波長の変化幅が大きく、かつ発振波長のスイッチング速度が早い新規な構造の半導体レーザ素子、さらにその素子の発振波長のスイッチング方法を提供すること。 【解決手段】 第1クラッド層12上に活性層14および受動導波路層16が隣接して設けられている。また、活性層14および受動導波路層16上に、第2クラッド層18が設けられている。また、第1クラッド12層の下側には下側電極20が設けられ、第2クラッド層18の上側には上側電極22が設けられている。半導体レーザ素子10は、活性領域100内の、受動領域200と接する側の領域に発振波長を切り換える波長スイッチング領域100aを具えている。波長スイッチング領域100aには、光導波方向にブラック波長λ1が、例えば55μmである第1の回折格子24が設けられ、受動領域200には光導波方向にブラック波長λ2が、例えば57μmである第2の回折格子26が設けられている。
公开日期1997-03-11
申请日期1995-09-01
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88980]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位沖電気工業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
国井 達夫,加藤 幸雄,山田 光志. 半導体レーザ素子およびその発振波長のスイッチング方法. JP1997069669A. 1997-03-11.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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