半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 小野村 正明; 西川 幸江; 波多腰 玄一 |
| 发表日期 | 2003-08-22 |
| 专利号 | JP3464853B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明は、結晶欠陥に起因する劣化を阻止し、信頼性の確保を図る。 【解決手段】 発光層(14,15)に接する少なくとも1つの界面には導電性酸化物(17)を設け、導電性酸化物が発光層に対してキャリア注入を行ない、且つ光閉込め又は発光取出しを行なう半導体発光装置。 |
| 公开日期 | 2003-11-10 |
| 申请日期 | 1995-09-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88985]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小野村 正明,西川 幸江,波多腰 玄一. 半導体レーザ. JP3464853B2. 2003-08-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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