半導体積層基板および光半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 櫛 部 光 弘; 大 場 康 夫; 橋 本 玲; 高 岡 圭 児 |
| 发表日期 | 2004-01-08 |
| 专利号 | JP2004006732A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体積層基板および光半導体素子 |
| 英文摘要 | (修正有)
【課題】長波長の光半導体素子において、GaAs基板を用いて、低コストでかつ特性が高い素子を得る。
【解決手段】GaAsからなり、互いに向き合う第1の面と第2の面とを備える基板10と、前記基板10の前記第1の面上に形成され、InjGa1-jAs1-kNk(0≦j≦1、0.002≦k≦0.05)からなるバッファー層2と、前記バッファー層2上に形成された第1導電型クラッド層3と、前記第1導電型クラッド層3上に形成され、井戸層を有し、前記井戸層はInzGa1-zAs(0 |
| 公开日期 | 2004-01-08 |
| 申请日期 | 2003-03-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88987]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 櫛 部 光 弘,大 場 康 夫,橋 本 玲,等. 半導体積層基板および光半導体素子. JP2004006732A. 2004-01-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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