窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 岡崎 治彦; 藤本 英俊; 石川 正行; 布上 真也; 波多腰 玄一; 山本 雅裕 |
| 发表日期 | 1998-04-10 |
| 专利号 | JP1998093198A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体材料を用いたダブルへテロ構造部におけるキャリアの注入及び光の閉じ込めを良好に行うことができ、低しきい値で発振する短波長の光源として利用できる。 【解決手段】 サファイア基板101上に窒化ガリウム系化合物半導体材料からなり、活性層106をn型クラッド層104及びp型クラッド層108で挟んだダブルヘテロ構造部を有する半導体レーザにおいて、ダブルへテロ構造部は、サファイア基板101上にGaNバッファ層102を介して形成され、かつメサ型に形成され、このメサ型構造の両側が高抵抗のGaN電流ブロック層110で埋め込まれている。 |
| 公开日期 | 1998-04-10 |
| 申请日期 | 1997-07-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88989]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡崎 治彦,藤本 英俊,石川 正行,等. 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法. JP1998093198A. 1998-04-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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