Semiconductor laser
文献类型：专利
| 作者 | SHIGIHARA, KIMIO; KAWASAKI, KAZUSHIGE |
| 发表日期 | 2003-08-12 |
| 专利号 | US6606334 |
| 著作权人 | MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| 英文摘要 | A semiconductor laser that has a large laser light aspect ratio, a high kink level, and a small variation in optical output efficiency. A semiconductor laser in which an increase in threshold current and a reduction in the optical output efficiency at an elevated temperature are prevented. The semiconductor laser includes a low refractive index layer between a guide layer and a cladding layer, and the total layer thickness of an active layer and the guide layer is not less than about 15% of an oscillation wavelength. |
| 公开日期 | 2003-08-12 |
| 申请日期 | 2000-11-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88990]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SHIGIHARA, KIMIO,KAWASAKI, KAZUSHIGE. Semiconductor laser. US6606334. 2003-08-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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