集積化半導体光デバイスおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山田 光志; 加藤 幸雄; 国井 達夫 |
| 发表日期 | 1996-11-01 |
| 专利号 | JP1996288592A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 集積化半導体光デバイスおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 第2光半導体素子部の下側光導波層部分での光の吸収の小さな集積化半導体光デバイスを提供すること。 【構成】 n-InP基板12上に、第2光半導体素子部としての半導体レーザ部14、および第1光半導体素子部としての変調器部16が電極分離部18を介して集積化されている。そして、半導体レーザ部14、変調器部16および電極分離部18には、各部に共通のInGaAsP下側光導波層20が設けられている。そして、変調器部16の下側光導波層20bの厚さは、半導体レーザ部14の下側光導波層20aの厚さより大きい。すなわち、下側光導波層20は半導体レーザ部14から変調器部16にかけて、電極分離部18を介して徐々に厚くなっている。また、変調器部16の下側導波層20bのPLピーク波長が、半導体レーザ部14の下側光導波層20aのPLピーク波長より長い。 |
| 公开日期 | 1996-11-01 |
| 申请日期 | 1995-04-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88994]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 光志,加藤 幸雄,国井 達夫. 集積化半導体光デバイスおよびその製造方法. JP1996288592A. 1996-11-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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