半導体レーザダイオード及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 寺田 俊幸; 吉武 春二 |
| 发表日期 | 2004-01-15 |
| 专利号 | JP2004014912A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザダイオード及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】電流ブロック特性を向上させることにより高温動作時のリーク電流が低減できる半導体レーザダイオード及びその製造方法を提供する。 【解決手段】半導体レーザダイオードの電流ブロック層8に挟まれた光導波路を構成するリッジ状のクラッド層6の出力方向に平行な側面をSiO2などの誘電膜7で被覆する。リッジ状のクラッド層6の両脇には誘電膜7が形成されているので高温(+70℃程度以上)でもこの部分からのリーク電流が増大しない。またクラッド層6の側壁部分からは電流ブロック層8が成長しないので成長を阻害する要因がなくなり、従って従来より厚く成長させることができる。その結果電流ブロック特性が向上する。プロセスを容易にするためp型クラッド層6とp型電流拡散層4の間にエッチングストップ層を形成しても良い。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2004-01-15 |
| 申请日期 | 2002-06-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88999]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 寺田 俊幸,吉武 春二. 半導体レーザダイオード及びその製造方法. JP2004014912A. 2004-01-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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