半導体レーザの製法
文献类型：专利
| 作者 | 岩本 浩治 |
| 发表日期 | 1996-04-12 |
| 专利号 | JP1996097499A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製法 |
| 英文摘要 | 【目的】 確実に、安定して、量産的にこの半導体レーザを製造できる半導体レーザの製法を提供する。 【構成】 半導体基板上11に、少なくとも第1導電型のクラッド層12と、活性層13と、第2導電型の第1のクラッド層14と、第2導電型不純物が高濃度にドーピングされた高濃度半導体層15とをエピタキシャル成長する第1のエピタキシャル成長工程と、高濃度半導体層15を表面に有する所定のストライプ状リッジ16を形成して、その両側に、高濃度半導体層15を横切る深さの溝17を形成する溝形成工程と、溝17と、リッジ16を覆って少なくとも第1導電型の電流狭窄層18を形成する第2のエピタキシャル成長工程とをとって、リッジ16の表面に形成された上述の高濃度半導体層15からの不純物の拡散によってこの高濃度半導体層15上において電流狭窄層14に限定的に電流注入領域19を形成する。 |
| 公开日期 | 1996-04-12 |
| 申请日期 | 1994-09-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89001]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩本 浩治. 半導体レーザの製法. JP1996097499A. 1996-04-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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