半導体発光素子の製法
文献类型：专利
| 作者 | 園部 雅之 |
| 发表日期 | 1996-10-01 |
| 专利号 | JP1996255930A |
| 著作权人 | ローム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製法 |
| 英文摘要 | 【目的】 NH3ガスを用いることなくチッ化ガリウム系化合物半導体層を安全に気相成長させ、安価な半導体発光素子の製法を提供する。 【構成】 反応管内に原料ガスを導入し気相成長法により基板1上に少なくともn型層4とp型層6を含むチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層する半導体発光素子の製法であって、前記原料ガスに少なくともヒドラジン系金属化合物を用いることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1996-10-01 |
| 申请日期 | 1995-03-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89002]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ローム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 園部 雅之. 半導体発光素子の製法. JP1996255930A. 1996-10-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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