半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 奥西 久義 |
| 发表日期 | 2008-02-21 |
| 专利号 | JP2008041963A |
| 著作权人 | ROHM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】製造工程を簡素化することができる、半導体レーザを提供すること。 【解決手段】n型GaAs基板2上に、780nm波長帯のレーザ光を出射する第1レーザ構造部3と、650nm波長帯のレーザ光を出射する第2レーザ構造部4とが形成されている。第1レーザ構造部3は、n型AlGaAsクラッド層32、MQW活性層33およびp型AlGaAsクラッド層34の積層構造を有し、第2レーザ構造部4は、n型InGaAlPクラッド層42、MQW活性層43およびp型InGaAlPクラッド層44の積層構造を有している。p型AlGaAsクラッド層34の材料にAlXGa1-XAs(X=0.46)が用いられ、p型InGaAlPクラッド層44の材料にInGa1-YAlYP(Y=0.7)が用いられている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-02-21 |
| 申请日期 | 2006-08-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89015]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ROHM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥西 久義. 半導体レーザ. JP2008041963A. 2008-02-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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