반도체 레이저
文献类型：专利
| 作者 | HIRATA,SHOJI |
| 发表日期 | 2000-06-26 |
| 专利号 | KR1020000035300A |
| 著作权人 | 소니 주식회사 |
| 国家 | 韩国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 반도체 레이저 |
| 英文摘要 | 수율의 향상을 도모하면서 단면(端面) 부근의 밴드갭(bandgap)을 넓게 할 수 있고, 나아가서는 신뢰성의향상, 최대 광 출력의 증대가 도모되는 반도체 레이저를 제공한다. 역(逆) 메사(mesa) 방향으로 스트라이프형의 불균일한 형상을 가지는 화합물 반도체 기판 상에, 클래드층(cladding layer), 활성층 등으로 이루어지는 다층막 반도체 레이저 구조를 가지는 것으로서, 1회의 MOCVD 결정 성장(結晶成長) 스텝에 의해활성층의 횡방향으로 굴절률차를 갖게 하고, 전류 협착(狹窄)을 위한 전류 블록층이 존재하는 BH 구성의SDH 구조를 가지는 반도체 레이저에 있어서, 스트라이프부의 단면부의 스트라이프 폭을 공진기 방향에서중앙부의 스트라이프 폭보다 크게 설정하고, 단면부에서의 활성층의 두께를 중앙부에서의 활성층의 두께보다 얇게 형성하고, 단면부에서의 활성층의 밴드갭을 중앙부에서의 활성층의 밴드갭보다 넓게구성한다. 도1 색인어 반도체 레이저, 스트라이프부, 단면부, 중앙부, 밴드갭. |
| 公开日期 | 2000-06-26 |
| 申请日期 | 1999-11-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89036]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 소니 주식회사 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | HIRATA,SHOJI. 반도체 레이저. KR1020000035300A. 2000-06-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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