プレーナ構造半導体光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山田 光志; 国井 達夫 |
| 发表日期 | 1997-05-02 |
| 专利号 | JP1997116229A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | プレーナ構造半導体光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 プレーナ構造半導体光素子の寄生容量の低減と、作成効率の向上。 【解決手段】 下地の上面側に第1クラッド層、光導波層および第2クラッド層を、下地の上面に沿う方向に順次に接して設けてなるプレーナ構造半導体光素子において、傾斜した結晶面を有する順メサ形状のn-InPクラッド層10と、この結晶面に実質的に平行な結晶面を有する逆メサ形状のp-InPクラッド層12と、これらのn-InPクラッド層10およびp-InPクラッド層12の傾斜面間に設けられているInGaAsP光導波層14とを具える。 |
| 公开日期 | 1997-05-02 |
| 申请日期 | 1995-10-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89041]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 光志,国井 達夫. プレーナ構造半導体光素子及びその製造方法. JP1997116229A. 1997-05-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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