半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 山田 博仁 |
| 发表日期 | 2000-01-21 |
| 专利号 | JP3024354B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 従来型の半導体レーザでは得られなかった優れた耐環境性能を実現し、光実装性も兼ね備えた半導体レーザを実現する。 【構成】 2つの光出射端面を有する半導体レーザ21において、どちらか一方の光出射端面側に基板表面から溝22を形成し、この溝によって一方の光出射端面を形成する。溝と反対側の光出射端面に70%以上の反射率を有するコーティング24を施している。そして、2つの光出射端面の間隔を150μm以下にしている。 |
| 公开日期 | 2000-03-21 |
| 申请日期 | 1992-05-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89047]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 博仁. 半導体レーザ. JP3024354B2. 2000-01-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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