半導体素子の試験装置および半導体素子の試験方法
文献类型：专利
| 作者 | 大崎 裕人; 田村 佳和 |
| 发表日期 | 2003-01-08 |
| 专利号 | JP2003004797A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子の試験装置および半導体素子の試験方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 通電により導波路から発光する半導体素子の試験において、導波路に近い半導体素子の面を、放熱板に設けた吸着穴で固定するために、半導体素子と接触する放熱板の面積が小さくなり、導波路で発生する熱が十分に放熱できず、試験中の半導体素子の温度が上昇して安定した半導体素子の検査を行うことが困難であった。 【解決手段】 試験針21に設けた吸着穴22により半導体素子14を固定し、半導体素子14の検査用電極15と試験針21の上端とを接触させることで、半導体素子14に形成された導波路16に近い面(半導体素子14の上面)と放熱板25との接触面積が減少することなく、導波路16で発生した熱を急速に放熱板25に伝達させることができる。 |
| 公开日期 | 2003-01-08 |
| 申请日期 | 2001-06-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89065]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大崎 裕人,田村 佳和. 半導体素子の試験装置および半導体素子の試験方法. JP2003004797A. 2003-01-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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