光集積素子
文献类型：专利
| 作者 | 田中 信介; 高林 和雅; 植竹 理人 |
| 发表日期 | 2009-03-12 |
| 专利号 | JP2009053366A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光集積素子 |
| 英文摘要 | 【課題】光カプラ部を備え、半絶縁性半導体埋込層による埋込構造を持つ光集積素子において、埋込層の平坦性を確保しながら、光カプラ部で生じる放射光が出力側で信号光に混入する現象を抑えることができるようにする。 【解決手段】光集積素子を、半導体基板5上に形成され、複数の第1チャネル光導波路部1と、光カプラ部2と、一の第2チャネル光導波路部3とを備える光導波路構造4と、半絶縁性半導体材料からなり、上部が平坦面になり、側部が半導体基板に対して所定の角度を有する傾斜面になるように光導波路構造4を埋め込む埋込層9と、光カプラ部2からの放射光が第2チャネル光導波路部3を伝播する信号光から空間的に分離されるように、光カプラ部2の少なくとも出射側近傍に所望の領域にわたって設けられた複数のダミー構造体10とを備えるものとし、複数のダミー構造体10を、埋込層9によって平坦に埋め込まれるように離散的に設ける。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-03-12 |
| 申请日期 | 2007-08-24 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89076]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 信介,高林 和雅,植竹 理人. 光集積素子. JP2009053366A. 2009-03-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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