半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | ▲高▼橋 向星; 谷 健太郎; 菅 康夫 |
| 发表日期 | 2000-12-15 |
| 专利号 | JP3139888B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 低抵抗で素子特性の再現性がよい半導体レーザ素子を得る。 【構成】 AlGaInP系赤色半導体レーザ素子において、p型AlGaInP上部第2クラッド層15と、GaAsコンタクト層との間に、GazIn1-zP(0≦zzIn1-zP層17は、GawIn1ーwP(w〜0.5)層16よりもバンドギャップが小さいので、正孔に対するヘテロ障壁を低減することができる。GazIn1-zP層17の成長の直前には材料の切り替えのために成長を中断させる必要がなく、再成長面での界面不整やキャリア濃度の低下が生じることはない。 |
| 公开日期 | 2001-03-05 |
| 申请日期 | 1993-07-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89080]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ▲高▼橋 向星,谷 健太郎,菅 康夫. 半導体レーザ素子. JP3139888B2. 2000-12-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。