半導体レーザ素子の駆動方法および半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 中原 宏治 |
| 发表日期 | 2009-12-24 |
| 专利号 | JP2009302365A |
| 著作权人 | OPNEXT JAPAN INC |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の駆動方法および半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】従来の半導体レーザ装置とその駆動方法では、レーザ非発振時の自然放出光の大きさと発振時の発振遅延時間の大きさの双方を低減することが困難であった。特に高光出力を出すために共振器長を長くした半導体レーザでは、特にこの点が問題となっていた。 【解決手段】活性層の一部の領域に電流が注入できる電極5と残りの他の活性層領域に電流を注入できる電極6を有する半導体レーザ4、電極5に電流を流すレーザ駆動回路2、電極6に電流を流すレーザ駆動回路3とレーザ駆動回路2,3を制御する制御回路1から構成される。光出力を出す場合には電極5への電流注入を電極6の電流注入に対して先行させ、光出力を0にする場合には電極5への電流を等価的なしきい電流以下に減少させ、電極6の電流を等価的なしきい電流未満に減少させるレーザ駆動方法と半導体レーザ装置に達成される。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-12-24 |
| 申请日期 | 2008-06-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89090]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OPNEXT JAPAN INC |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中原 宏治. 半導体レーザ素子の駆動方法および半導体レーザ装置. JP2009302365A. 2009-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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