半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 田中 俊明; 大歳 創; 石谷 善博; 皆川 重量 |
| 发表日期 | 1996-04-30 |
| 专利号 | JP1996111558A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明の目的は、青緑色から紫色に相当する短波長半導体レーザを構成するGaInN/AlGaN材料系において、低閾値でかつ高効率のレーザ発振を可能とさせることである。 【構成】 サファイア基板上1に、GaInN/AlGaN材料からなる歪多重量子井戸構造12を作製する。このとき、量子障壁層へのp型変調ドープでは量子井戸層との境界領域両側1nmにはドーピングせず、量子障壁層中央部と光分離閉じ込め層にはp型不純物を変調ドープして5×1018/cm3のキャリア濃度を発生させる。素子は劈開してバー状に切り出し、共振器の前面と後面に高反射膜コーティングを施す。 【効果】 本発明により、ホールの有効質量が重い材料系において、MQW活性層に対するキャリア注入効率を改善して発光効率を向上させることができた。 |
| 公开日期 | 1996-04-30 |
| 申请日期 | 1994-10-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89099]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 俊明,大歳 創,石谷 善博,等. 半導体レーザ素子. JP1996111558A. 1996-04-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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