半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 山田 博仁 |
| 发表日期 | 1995-03-10 |
| 专利号 | JP1995066501A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 単一縦モード発振し低歪でスペクト線幅の広い半導体レーザを実現する。特にアナログ変調時の変調歪のないレーザを提供する。 【構成】 ファブリ·ペローレーザの共振器長を60μm以下と短くし、ある1つの共振器モードを利得スペクトルのピーク波長に合せるように、素子長あるいは屈折率を調節したものである。素子長を調節するために、端面をイオンミリング等により除去するか、媒質と同じ屈折率の物質をコーティングする。あるいは屈折率を調節するために電極を分割し、位相調整用電極を設ける。 |
| 公开日期 | 1995-03-10 |
| 申请日期 | 1993-08-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89103]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 博仁. 半導体レーザ. JP1995066501A. 1995-03-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。