半導体レーザ素子の製法
文献类型：专利
| 作者 | 須郷 満; 天明 二郎; 西谷 昭彦; 倉持 栄一 |
| 发表日期 | 1996-07-02 |
| 专利号 | JP1996172238A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製法 |
| 英文摘要 | 【目的】 歩留りが良く電気的短絡による信頼性劣化のない、ジャンクションダウンでサブマウント上に実装される半導体レーザ素子の製法を提供すること。 【構成】 n+-GaAs基板1上にn-GaAsバッファ層2、n-AlGaAsクラッド層3、AlGaAsガイド層4、AlGaAsSCH層5、InGaAs歪量子井戸活性層6、AlGaAsSCH層7、AlGaAsSCH層8、AlGaAsガイド層8、p-AlGaAsクラッド層9、p+-GaAsコンタクト層を順次エピタキシャル成長し、ホトリソグラフィーにより層9に達するエッチングを行いリッジ11を形成する。その両側に共振器方向にチッピング用劈開溝12を形成し、3μm程度の深さまでエッチングし、絶縁膜(SiO2)13を表面全体にスパッタ形成し、その上にp電極14を設け、基板の反対面にn電極を設ける。溝12に沿って劈開し素子とする。 |
| 公开日期 | 1996-07-02 |
| 申请日期 | 1994-12-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89106]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 須郷 満,天明 二郎,西谷 昭彦,等. 半導体レーザ素子の製法. JP1996172238A. 1996-07-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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