半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山内 義則; 堀川 英明; 中村 幸治; 中島 徹人 |
| 发表日期 | 1997-02-07 |
| 专利号 | JP1997036484A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 メサストライプの両側でリーク電流がなく、素子容量を小さくできる半導体レーザ及びその製造方法を提供し、高速変調動作の向上を図る。 【解決手段】 InP基板31上に積層された第一導電型クラッド層33、活性層35、第二導電型クラッド層37によりメサストライプ53を形成する。メサストライプ53の両側をFe-InP層43で挟む。Fe-InP層43をエッチングすることでメサストライプ53を挟む一対のチャンネル55を形成する。Fe-InP層43を覆うとともに活性層35上部の第二導電型クラッド層37上面にストライプ状の開口部57を有するSiO2マスク59を形成する。SiO2マスク59の開口部57にストライプ状の電極45を形成する。 |
| 公开日期 | 1997-02-07 |
| 申请日期 | 1995-07-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89117]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山内 義則,堀川 英明,中村 幸治,等. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1997036484A. 1997-02-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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