窒化物系化合物半導体の結晶成長方法及び半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 内田 憲治 |
| 发表日期 | 1998-09-25 |
| 专利号 | JP1998256666A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系化合物半導体の結晶成長方法及び半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化物系化合物半導体層のエピタキシャル成長の下地として結晶基板上に形成される窒化物系化合物半導体バッファ層の表面平坦性を向上させて、エピタキシャル成長の結晶核を高密度且つ均一に形成すること。 【解決手段】 非晶質バッファ層を成長温度を変えて形成した多層膜構造とする。即ち、結晶基板上に形成される第1のバッファ層の成長温度に対し、第1のバッファ層上に形成される第2のバッファ層の成長温度を低くする。このように成長されるバッファ層及びその上に積層される窒化物系化合物半導体層の組成を、(AlxGa1-x)1-yInyN(但し、0≦x≦1、0≦y≦1)とし、バッファ層上に積層された窒化物系化合物半導体層を以て発光ダイオード又はレーザダイオードを構成する。 【効果】 上述の窒化物系化合物半導体層の結晶欠陥密度低減により、発光ダイオードやレーザ素子の発光効率が向上した。 |
| 公开日期 | 1998-09-25 |
| 申请日期 | 1997-03-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89119]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 憲治. 窒化物系化合物半導体の結晶成長方法及び半導体発光素子. JP1998256666A. 1998-09-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。