Halbleiteranordnung hergestellt mittels einer epitaxialen Technik und Verfahren zur Herstellung dieser Anordnung
文献类型：专利
| 作者 | KINOSHITA HIDEAKI C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIV. MINATO-KU TOKYO 105 JP |
| 发表日期 | 1997-01-30 |
| 专利号 | DE69029453D1 |
| 著作权人 | KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA KAWASAKI KANAGAWA JP |
| 国家 | 德国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Halbleiteranordnung hergestellt mittels einer epitaxialen Technik und Verfahren zur Herstellung dieser Anordnung |
| 英文摘要 | A semiconductor device is disclosed in which an area pattern (14) is formed on a portion of a major surface (11a) of a semiconductor substrate over which epitaxial growth layers are formed. In this case, compound semiconductors area (12, 13) formed by an epitaxial growth method, by the utilization of a surface temperature difference between the major surface (11a) of the semiconductor surface and the areas pattern (14) in a heating process. By so doing it is possible to simultaneously obtain the compound semiconductors (12, 13) of a different composition or a different energy gap from each other. |
| 公开日期 | 1997-01-30 |
| 申请日期 | 1990-10-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89123]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA KAWASAKI KANAGAWA JP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KINOSHITA HIDEAKI C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIV. MINATO-KU TOKYO 105 JP. Halbleiteranordnung hergestellt mittels einer epitaxialen Technik und Verfahren zur Herstellung dieser Anordnung. DE69029453D1. 1997-01-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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