半導体レーザー
文献类型：专利
| 作者 | 大畑 豊治 |
| 发表日期 | 1995-05-12 |
| 专利号 | JP1995122815A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザー |
| 英文摘要 | 【目的】 室温をはじめとする高温での連続発振が可能でしかも短波長での発光が可能な半導体レーザーを実現する。 【構成】 クラッド層の材料としてCdMgZnSSeTe系化合物半導体を用いた半導体レーザーにおいて、活性層とp型クラッド層との間のエネルギーギャップ差ΔEg (eV)およびp型クラッド層の正孔濃度p(cm-3)をΔEg+2kTlog p≧kTlog {A(μe /μh )}、A=Nc exp (-C/kT)が成立するような値にする。ただし、μe 、μh はp型クラッド層中の電子および正孔の移動度、Nc はp型クラッド層の伝導帯の有効状態密度、T(K)は動作温度、k(eV/K)はボルツマン定数、Cは定数である。 |
| 公开日期 | 1995-05-12 |
| 申请日期 | 1993-10-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89132]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大畑 豊治. 半導体レーザー. JP1995122815A. 1995-05-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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