半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 高木 和久 |
| 发表日期 | 1999-11-30 |
| 专利号 | JP1999330624A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 変調器および半導体レーザを集積した半導体装置の性能向上を行う。緩和振動周波数が高くてスペクトル線幅が狭く、且つフォトカレントの小さい高性能な装置を提供する。 【解決手段】 レーザ光を発生する半導体レーザと、レーザ光を導波する導波構造と、レーザ光を変調する変調器とを備えた。導波構造を分岐させ、レーザ光の一部を変調器以外の部分へ導波するようにした。 |
| 公开日期 | 1999-11-30 |
| 申请日期 | 1998-05-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89144]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高木 和久. 半導体装置. JP1999330624A. 1999-11-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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