赤外半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 高梨 良文; 倉持 栄一 |
| 发表日期 | 1995-03-20 |
| 专利号 | JP1995079047A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 赤外半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 容易に作製でき、且つ、高性能な赤外半導体発光素子を提供する。 【構成】 GaSb基板上にエピタキシャル成長した障壁層にAl1-x1Gax1Sb半導体、井戸層に歪In1-x2Gax2Sb半導体(x=0〜0.5)からなる多重量子井戸層を活性層とする。 |
| 公开日期 | 1995-03-20 |
| 申请日期 | 1993-09-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89146]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高梨 良文,倉持 栄一. 赤外半導体発光素子. JP1995079047A. 1995-03-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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