半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 工藤 裕章; 瀧口 治久; 猪口 和彦; 中西 千登勢; 菅原 ▲聡▼ |
| 发表日期 | 1995-03-17 |
| 专利号 | JP1995074432A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【構成】 電流狭窄構造を備えた分布帰還型の半導体レーザ装置であって、n-GaAs基板1上のn-GaAs電流ブロック層9の上にn-Al0.25Ga0.75Asエピタキシャルサポート層16とp-Al0.25Ga0.75As光ガイド層5上の回折格子14とを有する構成である。 【効果】 発振閾値電流が小さく、安定な単一横モード発振および単一軸モード発振でき、歩留まりよく製造できる。 |
| 公开日期 | 1995-03-17 |
| 申请日期 | 1990-09-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89152]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 工藤 裕章,瀧口 治久,猪口 和彦,等. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP1995074432A. 1995-03-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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