量子細線の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 内 山 潔; 井 戸 田 健; 高 森 晃; 中 島 眞 人 |
| 发表日期 | 1993-10-29 |
| 专利号 | JP1993283811A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 量子細線の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 可視光半導体レーザ等に使用されるAlGaInP系の結晶において、GaAs基板上にこの系からなる量子細線をエッチングにより作製する。 【構成】 GaAs(001)基板10上に、(Alx Ga1-x )y In1-yP(0≦x≦1,y〜0.5)からなるウェル層12と、これよりも大きなエネルギーギャップを持つ(Alx'Ga1-x')y'In1-y'P(0≦x方向にストライプ状にエッチング除去した後、残ったエピ層14をマスクとして塩酸と水からなるエッチング液によってウェル層12およびバリア層11,13をストライプ状に除去する。 |
| 公开日期 | 1993-10-29 |
| 申请日期 | 1992-03-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89158]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内 山 潔,井 戸 田 健,高 森 晃,等. 量子細線の製造方法. JP1993283811A. 1993-10-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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