半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大塚 健一; 今泉 昌之; 遠藤 康行; 吹田 宗義; 井須 俊郎; 光永 一正 |
| 发表日期 | 1996-10-11 |
| 专利号 | JP1996264877A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 低抵抗で且つバンドギャップが広いクラッド層を形成することにより、短波長で長時間安定して動作する半導体レーザ素子を得る。レーザの発振しきい値電流を十分に低減できる電流狭窄構造を得る。信頼性の高いシャッタを使った超格子構造の製造方法を提供する。 【構成】 クラッド層を不純物を添加した第1の層とこの第1の層に比しバンドギャップが大なる第2の層とを交互に積層して形成することにより、クラッド層全体としては低抵抗で且つバンドギャップが大きいものが得られる。p型クラッド層のうち発光領域に対応する部分に第2のp型半導体層を形成し、この第2のp型半導体層とp型クラッド層の両者に隣接して第3のp型半導体層を形成し、且つバンドギャップの大きさをp型クラッド層>第2の半導体層>第3の半導体層とする。一方向に連続回転するシャッタにより原料の供給を制御して超格子構造を製造する。 |
| 公开日期 | 1996-10-11 |
| 申请日期 | 1995-03-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89164]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大塚 健一,今泉 昌之,遠藤 康行,等. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP1996264877A. 1996-10-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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