多波長半導体レーザ装置とその製造方法及び波長多重光伝送装置
文献类型：专利
| 作者 | 仲野 弘司 |
| 发表日期 | 2001-01-19 |
| 专利号 | JP2001015858A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 多波長半導体レーザ装置とその製造方法及び波長多重光伝送装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 1つの半導体素子で多波長の安定したレーザ発振を得て、波長多重光伝送装置を小型化、低消費電力化する。 【解決手段】 MQW活性層1とグレーティング部2とを二つのクラッド層3,4で挟んだ構造を有する多波長半導体レーザ装置10において、グレーティング部2は、複数の波長のレーザ光6の各々の発振波長にそれぞれ対応したピッチ間隔を有する複数の回折格子5a,5b,5c,5dで形成され、MQW活性層1は、複数のウエル層8a,8b,8c,8dを有し、これらのウエル層は、異なった厚さでそれぞれ形成される。 |
| 公开日期 | 2001-01-19 |
| 申请日期 | 1999-06-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89174]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 仲野 弘司. 多波長半導体レーザ装置とその製造方法及び波長多重光伝送装置. JP2001015858A. 2001-01-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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